Lugar de origen: | China |
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Nombre de la marca: | Newradar Gas |
Certificación: | ISO/DOT/GB |
Número de modelo: | N/A |
Cantidad de orden mínima: | 1PCS |
Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Cilindro lleno de in10L-50L o embalado según las demandas. |
Tiempo de entrega: | 25 días hábiles después de recibido su pago |
Condiciones de pago: | L/C, T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 500 PC por mes |
Gas de relleno: | Mezclas de gases del argón, del neón y del flúor | Nombre de producto: | Mezclas del fluoruro del argón |
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Fórmula química: | ArF | Uso: | Lasers del excímero |
Densidad: | desconocido | Masa molar: | 59,954 g/mol |
Alta luz: | mezclas de gases del laser,gas natural de los msds |
Fluoruro premezclado del argón del gas, litografía de las mezclas de gases 193nm de ArF
Descripción:
El uso industrial más extenso de los lasers del excímero de ArF ha estado en la fotolitografía profundo-ultravioleta para la fabricación de dispositivos microelectrónicos. Del principios de los 60 hasta mediados de 1980 s, las lámparas hectogramo-Xe habían sido utilizadas para la litografía en 436, 405 y 365 longitudes de onda del nanómetro. Sin embargo, con la necesidad de la industria del semiconductor de una resolución más fina y de una producción más alta de la producción, las herramientas lámpara-basadas de la litografía podían no más cumplir los requisitos de la industria.
Este desafío fue superado cuando en un desarrollo pionero en 1982, la litografía profundo-ULTRAVIOLETA del laser del excímero fue inventada y demostrada en IBM por K. Jain. Con los avances fenomenales hechos en tecnología del equipo en las dos décadas pasadas, hoy dispositivos electrónicos del semiconductor fabricados usando total de la litografía del laser del excímero $400 mil millones en la producción anual. Como consecuencia, es la litografía del laser del excímero del viewthat de la industria del semiconductor ha sido un factor crucial en el avance continuo ley de la supuesta del Moore.
De una perspectiva científica y tecnológica incluso más amplia, puesto que la invención del laser en 1960, el desarrollo de la litografía del laser del excímero se ha destacado como uno de los jalones principales en la historia de 50 años del laser.
Especificaciones:
1. Propiedades físicas
Materia | Gas del fluoruro del argón |
Fórmula molecular | ArF |
Fase | Gas |
Color |
Descolorido |
Clase peligrosa para el transort | 2,2 |
2. datos técnicos típicos (COA)
Major Components | |||
COMPONENTES | CONCENTRACIÓN | GAMA | |
Flúor | 1,0% | 0.9-1.0% | |
Argón | 3,5% | 3.4-3.6% | |
Neón | Balanza | ||
Impurezas de Maxinum | |||
COMPONENTE | CONCENTRACIÓN (ppmv) | ||
Dióxido de carbono (CO2) | <5> | ||
Monóxido de carbono (CO) | <1> | ||
Tetrafluoruro del carbono (CF4) | <2> | ||
Fluoruro del carbonyl (COF2) | <2> | ||
Helio (él) | <8> | ||
Humedad (H2O) | <25> | ||
Nitrógeno (N2) | <25> | ||
Trifluorudo del nitrógeno (NF3) | <1> | ||
Oxígeno (O2) | <25> | ||
Tetrafluoruro del silicio (SiF4) | <2> | ||
Hexafluorudo del azufre (SF6) | <1> | ||
THC (como metano) (CH4) | <1> | ||
Xenón (Xe) | <10> |
3. Paquete
Especificaciones del cilindro | Contenido | Presión | ||||
Cilindro | Opciones del mercado de la válvula | Pies cúbicos | Litros | PSIG | BARRA | |
1 | CGA679 | DISS 728 | 265 | 7500 | 2000 | 139 |
2 | CGA679 | DISS 728 | 212 | 6000 | 2000 | 139 |
3 | CGA679 | DISS 728 | 71 | 2000 | 1800 | 125 |
Usos:
Las mezclas del fluoruro del argón se utilizan en 193 usos de la litografía del nanómetro, generalmente conjuntamente con una mezcla de gases inerte.