Lugar de origen: | China |
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Nombre de la marca: | Newradar Gas |
Certificación: | ISO/DOT/GB |
Número de modelo: | N/A |
Cantidad de orden mínima: | 1PCS |
Precio: | Negociable |
Detalles de empaquetado: | Cilindro lleno de in10L-50L o embalado según las demandas. |
Tiempo de entrega: | 25 días hábiles después de recibido su pago |
Condiciones de pago: | L/C, T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 500 PC por mes |
Gas de relleno: | Mezclas de gases del argón, del neón y del flúor | Nombre del producto: | Mezclas del fluoruro del argón |
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Formulación química: | ArF | Aplicación: | Lasers del excímero |
Densidad: | desconocido | Masa molar: | 59,954 g/mol |
Resaltar: | mezclas de gases del laser,gas natural de los msds |
Gas pre-mezclado de fluoruro de argón, mezclas de gas de ArF Litografía de 193nm
Descripción:
La aplicación industrial más extendida de los láseres excimer ArF ha sido en la fotolitografía ultravioleta profunda para la fabricación de dispositivos microelectrónicos.Desde principios de los años 60 hasta mediados de los 80En la industria de los semiconductores, las lámparas Hg-Xe se han utilizado para la litografía a longitudes de onda de 436, 405 y 365 nm.las herramientas de litografía basadas en lámparas ya no podían satisfacer los requisitos de la industria.
Este desafío fue superado cuando en un desarrollo pionero en 1982, la litografía láser excimer UV profunda fue inventada y demostrada en IBM por K. Jain.Con los progresos fenomenales realizados en la tecnología de equipos en las últimas dos décadasEn la actualidad, los dispositivos electrónicos semiconductores fabricados con litografía láser excimer suman 400 mil millones de dólares en producción anual.Es la opinión de la industria de semiconductores que la litografía láser excimer ha sido un factor crucial en el avance continuo de la llamada ley de Moore..
Desde una perspectiva científica y tecnológica aún más amplia, desde la invención del láser en 1960,El desarrollo de la litografía láser excimer ha sido destacado como uno de los hitos principales en los 50 años de historia del láser.
Especificaciones:
1.Propiedades físicas
Comodidad | Gas de fluoruro de argón |
Fórmula molecular | ArF |
Fase | El gas |
El color |
Sin color |
Clase de peligro para el transporte | 2.2 |
2.Datos técnicos típicos (DTC)
Principales componentes | |||
Los componentes | Concentración | Rango de las emisiones | |
Fluoruro | 10,0% | 00,9-1,0% | |
Argón | 30,5% | 30,4-3,6% | |
De color negro | Saldo de las cuentas | ||
Impuridades máximas | |||
Componente | Concentración (ppmv) | ||
Dióxido de carbono (CO2) | Se trata de un0 | ||
Monóxido de carbono (CO) | Se trata de un0 | ||
Tetrafluoruro de carbono (CF4) | Se trata de un0 | ||
Fluoruro de carbonilo (COF2) | Se trata de un0 | ||
Helio (He) | No es suficiente.0 | ||
Humedad (H2O) | < 25 años0 | ||
El nitrógeno (N2) | < 25 años0 | ||
Trifluoruro de nitrógeno (NF3) | Se trata de un0 | ||
El oxígeno (O2) | < 25 años0 | ||
Tetrafluoruro de silicio (SiF4) | Se trata de un0 | ||
Hexafluoruro de azufre (SF6) | Se trata de un0 | ||
THC (en forma de metano) (CH4) | Se trata de un0 | ||
El xenón (Xe) | < 10 años0 |
3Paquete
Especificaciones del cilindro | Contenido | Presión | ||||
El cilindro | Opciones de salida de la válvula | Pie cúbico | En litros | El PSIG | Barras | |
1 | CGA679 | El DISS 728 | 265 | 7500 | 2000 | 139 |
2 | CGA679 | El DISS 728 | 212 | 6000 | 2000 | 139 |
3 | CGA679 | El DISS 728 | 71 | 2000 | 1800 | 125 |
Aplicaciones:
Las mezclas de fluoruro de argón se utilizan en aplicaciones de litografía de 193 nm, generalmente junto con una mezcla de gas inerte.